На токе заряженный портал

Криптографические чипы[править | править код]

Чипы Infineon используются для реализации криптографических функций в ряде систем, в том числе смарт-картах и модулях Trusted Platform Module (TPM). Они обеспечивают генерацию, безопасное хранение и использование ключей, в том числе в рамках криптосистемы RSA. На их базе, в частности, реализована Эстонская национальная система ID-карт (750 тысяч пользователей), и может работать дисковое шифрование Bitlocker. В начале ноября 2017 года опубликована статья, продемонстрировавшая наличие в таких чипах режима с генерированием некачественных RSA-ключей, из-за чего сравнительно небольшие вычисления позволяют получить приватный ключ из публичного.

Возможно, вам также будет интересно

Известно, что биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT — Insulated Gate Bipolar Transistor) обладают преимуществами легкого управления полевыми МОП-транзисторами и низкими потерями проводимости, характерными для биполярных транзисторов. На рис. 1 показана эквивалентная схема IGBT-транзистора. Традиционно IGBT используют в тех случаях, где необходимо работать с высокими токами и напряжениями. IGBT-транзисторы в настоящее время выпускают десятки производителей.

Введение Развитие элементной базы, связанные с этим новые решения в области силовой схемотехники и появление цифровых систем управления обусловливают моральное устаревание тиристорных преобразователей частоты, имеющих аналоговые системы управления. Специалисты Уфимской школы силовой электроники разрабатывают преобразователи повышенной частоты для современной технологии индукционного нагрева. Ранее мы уже рассказывали о таких новых устройствах силовой электроники — компактных и

В статье представлены результаты работы по созданию интеллектуального электронного балласта для комбинированного уличного светильника, включающего металлогалогенную лампу и светодиодные модули. Рассмотрена структура силовой части балласта и микропроцессорного модуля, обеспечивающего управление силовыми транзисторами, диагностику светильника, а также связь с центральным диспетчером и соседними балластами при помощи радиомодуля XBee Pro. Приведены электрические параметры балластов, а также осциллограммы токов и напряжений по светодиодному и ламповому каналам.

Квартальный отчет Infineon Technologies: нет сигналов по сокращению дефицита чипов

• • 04 августа 2021, 13:48
  • |
  • SUVE Capital Management

Infineon Technologies AG (Xetra: IFX) опубликовала отчет за 3 квартал финансового 2021 г. (3Q FY21). Выручка выросла на 25,2% до €2,72 млрд по сравнению с €2,17 млрд за 3Q FY20, кварталом ранее было €2,7 млрд. Маржинальность бизнеса выросла до 18,2% по сравнению с 10,1% за 3Q FY20. Аналитики в среднем ожидали выручку €2,78 млрд и маржинальность бизнеса 18%. Скорректированная прибыль в расчете на 1 акцию (adjusted EPS) €0,27 против €0,13 за 3Q FY20 и €0,24 за 2Q FY21. Свободный денежный поток (FCF) вырос до €447 млн, во 2Q FY21 FCF был €407 млн. Отчет за 2Q FY21 здесь.

За первые 9 месяцев финансового 2021 г. выручка компании выросла на 36,5% до €8,1 млрд по сравнению с €6,1 млрд за аналогичный период прошлого года. Скорректированная прибыль в расчете на 1 акцию (adjusted EPS) €0,52 против €0,19 годом ранее.Результаты по сегментам.Наибольшим сегментом остается Automotive (производство чипов для автомобилей) с долей 44% в общей выручке компании. Сегмент за прошедший квартал принес компании выручку в размере €1,21 млрд, что на 48,8% больше, чем за тот же период годом ранее. Отметим, что в предыдущем квартале выручка сегмента составила €1,21 млрд, что соответствует падению на 1%. 

( Читать дальше )

Недостаток безопасности

В октябре 2017 года сообщалось, что уязвимость, получившая название ROCA, в библиотеке кода, разработанной Infineon, которая широко использовалась в продуктах безопасности, таких как смарт-карты и TPM , позволила выводить закрытые ключи из открытых ключей . В результате все системы, зависящие от конфиденциальности таких ключей, были уязвимы для взлома, например кражи личных данных или подделки. Затронутые системы включают 750 000 национальных удостоверений личности Эстонии , 300 000 национальных удостоверений личности Словакии и компьютеры, которые используют шифрование диска Microsoft BitLocker в сочетании с уязвимым TPM. Microsoft выпустила патч, который устраняет уязвимость через Центр обновления Windows сразу после обнаружения.

Volkswagen бросает вызов Tesla и Alphabet

• • 07 сентября 2021, 11:02
  • |
  • SUVE Capital Management

Накануне вышло интересное интервью CEO Volkswagen, которое примечательно сразу двумя тезисами:1. Основное поле битвы в автомобилестроении не электрификация всего и вся, а беспилотные системы. C этой целью автомобильный концерн объединил все свои подразделения в области создания программного обеспечения в одно подразделение под названием Cariad. Бюджет подразделения на ближайший год установлен в размере €2,5 млрд ($3 млрд). Сейчас штатная численность Cariad составляет 4 500 чел. с возможностью увеличения до 5 000 чел. к концу этого года.
CEO Volkswagen признал, что компании придется выбрать стратегию поглощений, чтобы наращивать компетенции, так как рынок специалистов является крайне высококонкурентным и очень сложно и дорого формировать отдельные сильные команды. По словами CEO, Volkswagen будет конкурировать с Waymo (Alphabet, GOOGL) и Tesla (TSLA). Так, большинство специалистов признают Waymo во главе с Дмитрием Долговым технологическим лидером в области беспилотных систем.( Читать дальше )

История

2021: Создание консорциума для внедрения квантовых технологий в промышленности

В середине июня 2021 года BMW вместе с BASF, Boehringer Ingelheim, Bosch, Infineon, Merck, Munich Re, SAP, Siemens и Volkswagen создали Quantum Technology and Application Consortium (QUTAC), члены которого намерены разработать большое количество примеров для использования их в промышленности, чтобы создать спрос на квантовые вычисления. По мнению QUTAC, это ускорит развитие технологии в Германии и Европе. Подробнее здесь.

2019: Покупка разработчика чипов Cypress Semiconductor за 9 млрд евро

В начале июня 2019 года Infineon Technologies объявила о приобретении Cypress Semiconductor за 9 млрд евро. Благодаря этой сделке Infineon становится лидером мирового рынка автомобильных чипов. Подробнее здесь.

2016: Крупнейший европейский чипмейкер поглотил американского коллегу за $850 млн

Крупнейший в Европе производитель чипов Infineon Technologies сообщил летом 2016 года о покупке компании Wolfspeed Power.

Компания, которую приобрела Infineon Technologies находится в Америке и выпускает микросхемы для управления питанием. Wolfspeed, является дочерней структурой компании Cree, продана Infineon за $850 млн. Infineon Technologies путем покупки Wolfspeed намерена расширить присутствие на рынках электромобилей, а также «интернета вещей» и возобновляемых источников энергии.

Wolfspeed завершила финансовый год в марте 2016 г. Согласно отчету, выручка компании составила $173 млн. Infineon надеется на увеличение рентабельности и прибыли сразу после официального поглощения Wolfspeed.

2015

В 2015 году Infineon приобрела компанию-производителя силовых полупроводниковых приборов International Rectifier за $3 млрд.

2014

В 2014 г. стало известно о самой крупной сделке компании Infineon Technologies AG – покупке International Rectifier.

2010

В 2010 г. часть компании Infineon, производящая чипы для смартфонов, была выкуплена корпорацией Intel. Крупнейший в мире производитель полупроводников Intel купил компанию Wireless Solutions Business (WLS) за $1,4 млрд.

2007

В 2007 году совместно с другим крупным производителем проводников, американской IBM, Infineon Technologies продали совместное предприятие Altis Semiconductor швейцарской компании Advanced Electronic Systems AG (AES), которая принадлежит российскому холдингу GIS (Global Information Services).

Программирование параметров

Блок управления Инфинеон 6 FET нужно подключить посредством USB-кабеля прилагающегося к комплекту к программной оболочке через эмуляцию COM-интерфейса. Софт и драйвера программного провода можно скачать в интернете. Тут нужно использовать драйвер подходящий именно для вашей операционной системы.

Важным моментом при прошивке является правильный выбор вида и типа изделия в программаторе. Не нужно превосходить штатные показатели максимальных токов и пороговые показатели ограничения фазного тока.

Если вы выставите ток аккумулятора выше его номинала, то высок риск того, что аппаратура выйдет из строя. Помимо этого, во время работы управляющего устройства, нужно постоянно отслеживать его температурный режим. Во избежание перегрева контроллера, следует создать принудительное охлаждение его корпуса либо же выбирать режим, позволяющий устройству не нагреваться сверх допустимой нормы.

Инфинеон обеспечивает использование датчика PAS, реверс мотор-колеса, а также выбор скорости при поддержке вращения педалей. Однако, как правило, эти возможности на задействованы.

Учитывайте, что после отключения управляющего устройства, его конденсаторы ещё продолжительное время удерживают заряд и если вы небрежно поведёте себя с платой, то вполне можете серьёзно навредить компонентам схемы. Если у пользователя нет опыта обращения с подобными приспособлениями, то настройку, усовершенствование и ремонтные мероприятия, лучше доверить знающим своё дело профессионалам.

Последовательность действий для прошивки настроек контроллера выглядит примерно так:

1. Подготавливаем соответствующий кабель, драйвера и софт.

2. Отключаем блок управления от аккумуляторной батареи.

3. Стыкуем кабель с USB портом.

4. Ожидаем подключения устройства системой. Если новое устройство не обнаруживается, значит вы имеете не поддерживаемую операционную систему либо установили не тот драйвер.

5. Далее определяем номер СОМ-порта, с которым состыкован кабель. Диспетчер устройств вам в помощь.

6. Следующим шагом является подключение кабеля другим концом к разъёму программирования блока управления.

7. Открываем программу, загружаем имеющуюся конфигурацию либо же задаём параметры, которые вы желаете прошить в устройство управления.

8. Выбираем в программе СОМ-порт, к которому подключён кабель и нажимаем «Start transmit».

9. Далее нам нужно зажать маленькую кнопочку находящуюся на кабеле и удерживать её до того момента, пока в программе не появится надпись «Finished».

10. Жмём «Stop transmit».

11. Отключаем кабель, подсоединяем электронакопитель и радуемся жизни!

IGBT-продукты

В данную категорию включены дискретные IGBT с антипараллельными диодами (десятки типов), дискретные приборы семейства HighSpeed 5 и IGBT-модули различных серий, в том числе MIPAQ, CIPOS, SmartPIM, SmartPACK. В категорию также включены IGBT для автомобильных приложений, чипы и приборы без антипараллельных диодов.

Одной из последних новинок компании являются IGBT семейства HighSpeed 5, выполненные по технологии TRENCHSTOP 5 с рабочим напряжением 650 В и током коллектора 8–50 А. Приборы выпускаются в корпусах TO-220, TO-220 FullPAK, TO-247, их внешний вид показан на рис. 1. Компания называет новые транзисторы лучшими в своем классе с точки зрения производительности и эффективности в сочетании с высокой надежностью. Приборы оптимизированы для применения в корректорах мощности и ключах с ШИМ. Они могут быть использованы в источниках бесперебойного питания (ИБП), корректорах коэффициента мощности (ККМ), инверторах для солнечной энергетики и сварочных аппаратах. На рис. 2 показаны структуры IGBT TRENCHSTOP и TRENCHSTOP 5. Основные особенности и преимущества приборов в сравнении с транзисторами предыдущего поколения семейства HighSpeed 3:

• в 2,5 раза меньше заряд затвора и вдвое снижены потери при коммутации;
• на 200 мВ меньше напряжение насыщения и на 50 В больше рабочее напряжение;
• высокие возможные частоты коммутации (до 70 кГц);
• высокая плотность мощности, надежность и мягкие характеристики коммутации;
• время обратного восстановления 50 нс;
• встроенный антипараллельный диод семейства RAPID или диод на основе карбида кремния;
• малая выходная емкость;
• высокая эффективность при малых нагрузках (до 40% от максимальной).

Рис. 2. Структуры транзисторов

Классификационные параметры приборов HighSpeed 5 приведены в таблице 1.

Примечания: приборы IGP, IGW содержат только IGBT, в остальные интегрированы антипараллельные диоды серии RAPID (t_rr от 41 до 52 нс) или SiC; t_ф — время нарастания; t_с — время спада; потери переключения Е_общ включают «хвост» и обратное восстановление диодов; значения параметров действительны при температуре +25 °С.

Рис. 3. Характеристики переключения транзисторов HighSpeed 5

Приборы с окончаниями в названиях F5 и H5 отличаются параметрами переключения. На рис. 3 приведены соответствующие диаграммы токов и напряжений переключения инвертора для преобразования энергии солнечных батарей мощностью 2 кВт в сравнении с характеристиками приборов предыдущего поколения Н3. Приборы исполнений Н5 с диодами типа RAPID оптимизированы для использования их в качестве замены приборов предыдущих поколений — каких-либо изменений схем и режимов не требуется, оптимальная величина резистора в цепи затвора R_{g on} = 5 Ом. Исполнения F5 в сравнении с Н5 отличаются несколько меньшей индуктивностью и применением SiC-диодов, что повышает эффективность преобразователей примерно на 1%, однако для получения нужного эффекта в цепи затвора необходим сплит-резистор (R_{g off}). Потери переключения приборов серии значительно меньше, чем у приборов предыдущих поколений, и сравнимы с потерями полевых транзисторов. На рис. 4 приведены зависимости потерь включения от сопротивления затвора приборов HighSpeed 5 в сравнении с потерями других приборов .

Рис. 4. Зависимости энергии потерь включения различных типов приборов от сопротивления в цепи затвора

При использовании приборов в ККМ эффективность преобразования может быть увеличена на 0,6% для исполнений Н5 и на 1,7% для исполнений F5 по сравнению с приборами предыдущего поколения Н3.

Рис. 5. Зависимости эффективности ККМ на различных IGBT от выходной мощности

На рис. 5 показаны зависимости эффективности ККМ с частотой коммутации 70 кГц от выходной мощности для различных типов приборов и различных значений R_{g on}/R_{g off} (рис. 6) .

Рис. 6. Схемы включения резистора затворов

Собственники и руководство[править | править код]

Крупнейшие акционеры Infineon Technologies на август 2009 года: Dodge & Cox (9,95 %) и Norges Bank (3,41 %).

В августе 2009 года, во время визита канцлера Германии Ангелы Меркель в Сочи, президент РФ Дмитрий Медведев выразил желание России приобрести часть пакета акций этой компании.

16 сентября 2009 года российский холдинг АФК «Система» отказался от покупки доли в немецком производителе микроэлектроники Infineon. В качестве альтернативы российским инвесторам было предложено приобрести французского производителя полупроводников Altis Semiconductor (фр.), 50 % которого принадлежали Infineon, однако в Москве этот актив интереса не вызвал.

Рынки

Infineon продает полупроводники и системы для автомобильного , промышленного и мультимаркетингового секторов, а также чип-карты и продукты безопасности. У Infineon есть дочерние компании в США в Милпитасе , Калифорния, и в Азиатско-Тихоокеанском регионе, в Сингапуре и Токио, Япония.

Infineon имеет ряд представительств в Европе, один в Дрездене . Сегмент высокой мощности Infineon находится в Варштайне , Германия; Филлах и Грац в Австрии; Цеглед в Венгрии; и Италия. Он также управляет центрами исследований и разработок во Франции, Сингапуре, Румынии , Тайване, Великобритании и Индии , а также производственными предприятиями в Сингапуре , Малайзии, Индонезии и Китае. Также есть общий сервисный центр в Майя, Португалия.

Infineon котируется в индексе DAX Франкфуртской фондовой биржи .

В 2010 году в преддверии предстоящего собрания акционеров разразился конкурс по доверенности, будет ли разрешено члену совета директоров Клаусу Вухереру войти в кабинет председателя после ухода на пенсию нынешнего председателя Макса Дитриха Клея.

После нескольких реструктуризаций Infineon сегодня включает четыре направления деятельности:

Автомобильная промышленность (квадроцикл)

Infineon предлагает полупроводниковые изделия для использования в силовых агрегатах (управление двигателем и трансмиссией), комфортной электронике (например, рулевое управление, амортизаторы , кондиционер ), а также в системах безопасности ( ABS , подушки безопасности , ESP ). Ассортимент продукции включает микроконтроллеры , силовые полупроводники и датчики . В 2018 финансовом году (на конец сентября) продажи сегмента ATV составили 3284 миллиона евро.

Промышленное управление мощностью (IPC)

Промышленное подразделение компании включает силовые полупроводники и модули, которые используются для генерации, передачи и потребления электроэнергии. Его области применения включают управление электроприводами для промышленного применения и бытовой техникой, модули для производства, преобразования и передачи энергии из возобновляемых источников. В 2018 финансовом году объем продаж этого сегмента составил 1323 миллиона евро.

Системы питания и датчиков (PSS)

Подразделение Power & Sensor Systems подводит итог деятельности полупроводниковых компонентов для эффективного управления питанием или высокочастотных приложений. Они находят применение в системах управления освещением и светодиодном освещении, источниках питания для серверов, ПК, ноутбуков и бытовой электроники, настраиваемых устройствах для периферийных устройств, игровых консолях, приложениях в медицинских технологиях, высокочастотных компонентах, выполняющих защитную функцию для систем связи и тюнеров. и кремниевые MEMS-микрофоны. В 2018 финансовом году PSS принесло 2 318 миллионов евро.

Подключенные безопасные системы (CSS)

Компания CSS предлагает микроконтроллеры для SIM-карт мобильных телефонов, платежные карты, микросхемы безопасности и решения на основе чипов для паспортов, удостоверений личности и других официальных документов. Infineon поставляет значительное количество чипов для нового немецкого удостоверения личности. Кроме того, CSS предоставляет решения для приложений с высокими требованиями к безопасности, таких как платное телевидение и Trusted Computing. В 2018 финансовом году компания CSS достигла 664 миллиона евро. « Infineon — номер 1 в области встроенной безопасности» (IHS, 2016 — Отчет IHS по встроенной цифровой безопасности).

Силовые модули MIPAQ serve

Модули MIPAQ serve объединяют силовую часть из шести IGBT с антипараллельными диодами, токовыми шунтами, систему управления с электрически изолированным логическим входным интерфейсом и схему цифрового измерения температуры встроенного терморезистора с отрицательным ТКС. Модули выполнены в корпусах MIPAQ-3 (EconoPACK 4), внешний вид приборов показан на рис. 12, упрощенная структура модулей приведена на рис. 13.

Рис. 12. Внешний вид модуля MIPAQ serve

Внешние сигналы управления поступают на входной 22-контактный разъем Х2 типа 87832-22 (Molex-connector). Логические схемы модуля от драйверов верхних и нижних плеч гальванически отделяют специальные трансформаторы без магнитных сердечников (Coreless Transformer, CLT). Положительные и отрицательные напряжения питания IGBT-модуля поступают с силовых шин (DC-Busbar ±), подключенных к силовой сети напряжением до 1200 В. Напряжения смещения на затворы верхних ключей подаются от отдельного изолированного источника питания через 22-контактный разъем Х1 типа 43045-22 (Molex-connector). Основное напряжение питания и нагрузка подключаются к винтовым терминалам с резьбой М6. Основные особенности и параметры модулей:

• шестикомпонентный силовой модуль с блоком электронного управления;
• гальванически изолированный драйвер на основе технологии CLT с интегральным трансформатором без магнитного сердечника;
• цифровой измеритель температуры базовой платы модуля на основе терморезистора NTC;
• несинхронность включения/выключения всех IGBT модуля не более 20 нс;
• рейтинговые напряжения/ток — 1200 В/100 А (IFS100V12PT4), 1200 B/150 A (IFS150V12PT4), 1200 B/200 A (IFS200V12PT4);
• встроенные схемы защиты от перегрева, коротких замыканий, пониженного напряжения всех источников питания, сбоев передачи управляющих сигналов;
• соответствие стандартам IEC61800-5-1 (по гальванической изоляции), UL94, RoHS;
• максимальное напряжение на силовой шине питания — 850 В;
• напряжение насыщения «коллектор–эмиттер» IGBT — 2,1 В (при Т_vj = +150 °C, I_к = 100–200 А);
• энергия потерь включения/выключения E_on/E_off — 21,3/20 мДж (IFS200V12PT4, Т_vj = +150 °C, I_к = 200 А);
• диапазон температур окружающей среды –40…+65 °С, влажность Rel H — 5–85 %;
• виброустойчивость до 12g, ударопрочнось до 10g, класс защиты IP00;
• тепловое сопротивление «кристалл IBGT–корпус» — 0,15 К/Вт.

Рис. 13. Упрощенная структура модуля MIPAQ serve

Рис. 14. Микросхема 1ED020I12-FA

Применяемые методы изоляции драйверов от высоковольтных цепей силовых инверторов с помощью оптронов, трансформаторов и преобразователей уровней в настоящее время дополняются использованием интегральных трансформаторов без сердечников (CLT). Разработка технологии таких трансформаторов в компании Infineon была направлена на использование достоинств традиционных решений и в то же время устранение присущих им недостатков. К основным достоинствам CLT относятся: обеспечение высокого качества изоляции, гарантирующее абсолютную надежность на протяжении всего срока эксплуатации; миниатюрные размеры; хорошая совместимость с логическими схемами управления; стойкость к электромагнитным помехам со значительной скоростью нарастания напряжения; невысокая стоимость производства. Особенности, параметры, методика расчета печатных трансформаторов без сердечника в приложении к драйверам затворов подробно описаны в статье, опубликованной в журнале IEEE Circuits and Systems .

Первая микросхема драйвера на основе CLT компании с запатентованным логотипом EiceDRIVER — 1ED020I12-FА (рис. 14) была представлена в 2007 г. Позже был выпущен сдвоенный драйвер 2ED020I12-FI. Микросхемы семейства EiceDRIVER (ED, ED-C, ED-E, ED-S) обеспечивают гальваническую развязку и двунаправленную передачу сигналов с очень малыми задержками распространения и высокую надежность при работе в экстремальных условиях эксплуатации.

Рис. 15. Структура микросхемы 2ED020I12-FI

Микросхема 2ED020I12-FI, выполненная в DIP-корпусе PG-DSO-18-2 с габаритами 12,8×7,6×2,45 мм, характеризуется следующими основными параметрами: полный диапазон рабочих напряжений ±1200 В; напряжение питания 14–18 В; выходной ток драйверов затворов от +1 до –2 А; совместимость с входными ТТЛ-уровнями 3,3 и 5 В. Структура микросхемы приведена на рис. 15, аналогичные структуры драйверов применены и в модулях MIPAQ serve (EiceDRIVER, T1–T3, B1–B3 на структурной схеме рис. 16).

Рис. 16. Структура модуля MIPAQ serve

Похожие записи:

Определение рентабельности производства: формула, пример Аккредитив Акции и скидки в универмагах минска с 1 по 31 августа 2021 года Что такое призвание? в чем его смысл, как найти и реализовать себя через свое предназначение Медицинский центр ева в минске Vtba us equity (vtba)